Author:
Воскресенье, Ноябрь 06th, 2011

Аўтар: Accent

Цэны на флэш-памяць тыпу MLC NAND істотна знізяцца ў будучым годзе, сцвярджае крыніца. Прычынай стане пераход ад распаўсюджанай цяпер 2-бітнай памяці да памяці, здольнай захоўваць у кожным вочку па тры біта інфармацыі. Мяркуецца, што ў 2010 годзе доля 3-бітнай памяці складзе 70-80% ад агульнага аб'ёму паставак флэш-памяці тыпу MLC NAND.

Пра пачатак серыйнага выпуску 3-бітнай флэш-памяці тыпу MLC NAND па нормах "30-нм класа" на днях абвясціла кампанія Samsung Electronics. Гаворачы больш дакладна, для выпуску гэтых мікрасхем Samsung прымяняе 32-нанаметровы тэхпрацэс. Больш за звыклая 2-бітная памяць вырабляецца на фабрыках паўднёвакарэйскага вытворцы па нормах 35 нм. Пераход да 3-бітнай флэш-памяці тыпу MLC NAND дазваляе павысіць шчыльнасць захоўвання на 50%.

Не адстае ад свайго асноўнага канкурэнта кампанія Toshiba. Цяпер яна асвойвае ў серыйнай вытворчасці з выкарыстаннем 32-нанаметровай тэхналогіі выпуск 3-бітных чыпаў шчыльнасцю 32 Гбіт. Акрамя таго, японская кампанія мае намер прапанаваць заказчыкам 4-бітныя чыпы, якія вырабляюцца па нормах 43 нм. Супрацоўнічалая з Toshiba кампанія SanDisk ўжо пачала пастаўкі карт памяці, у якіх выкарыстоўваецца 4-бітная флэш-памяць тыпу MLC NAND.

Чакаецца, што да канца бягучага года аб пачатку масавага выпуску 3-бітнай флэш-памяці тыпу MLC NAND па нормах 34 нм абвесцяць кампаніі Intel і Micron Technology. Ва ўсякім выпадку, зроблены летам папярэдні анонс прадугледжваў, што серыйны выпуск пачнецца ў чацвёртым квартале 2009 года.

You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. Both comments and pings are currently closed.

Comments are closed.