Author:
Воскресенье, Декабрь 04th, 2011

Планы кампаніі Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) прадугледжваюць пачатак выпрабавальнага выпуску прадукцыі з ужываннем 22-нанаметровага тэхпрацэсу, аптымізаванага па крытэры высокай прадукцыйнасці, у трэцім квартале 2012 года.

У першым квартале 2013 наступіць чаргу прадукцыі, якая вырабляецца з ужываннем 22-нанаметровай тэхналогіі, аптымізаванай па крытэры нізкага энергаспажывання. Такія дадзеныя прыводзіць крыніца са спасылкай на Шен-І-Чанга (Shang-Yi Chiang), старэйшага віцэ-прэзідэнта TSMC па навукова-даследчай працы.

Спадар Чанг распавёў пра поспехі кампаніі ў засваенні 28-нанаметровай тэхналогіі. Пачатак вопытнага вытворчасці з прымяненнем аптымізаванага па крытэры нізкага энергаспажывання варыянту гэтай тэхналогіі з выкарыстаннем оксинитрида крэмнія (SiON), намечана на чэрвень. Да аптымізаваным па крытэры высокай прадукцыйнасці чыпаў варыянту з металічнымі затвора і дыэлектрык з высокім значэннем дыэлектрычнай сталай (HKMG) кампанія разлічвае перайсці ў канцы верасня. У снежні TSMC плануе прадставіць варыянт 28-нанаметровага тэхпрацэсу HKMG, аптымізаваны па крытэры нізкага энергаспажывання чыпаў.

Заказчыкамі 28-нанаметровай прадукцыі TSMC ўжо сталі Altera, Fujitsu Microelectronics, Qualcomm і Xilinx.

You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. Both comments and pings are currently closed.

Comments are closed.